Πρωτοποριακά τσιπ από την ΙΒΜ, εξαιρετικά μεγάλης πυκνότητας, που διαθέτουν τέσσερις φορές την ισχύ των πιο ισχυρών τσιπ που υπάρχουν σήμερα

Ο Νόμος του Moore αποτελεί μέχρι τώρα έναν από τους θεμελιώδεις κανόνες που διέπουν τον κόσμο των υπολογιστών, προβλέποντας ότι η υπολογιστική ισχύς διπλασιάζεται κάθε περίπου δύο χρόνια. Ωστόσο πολλοί θεωρούν ότι αυτό θα πάψει να ισχύει σύντομα, καθώς υπάρχει περιθώριο στο όριο της συρρίκνωσης που επιτρέπει στον νόμο αυτό να εξακολουθεί να «είναι σε εφαρμογή».



 Η ΙΒΜ όμως, αντιστέκεται σθεναρά υπέρ του νόμου: Η εταιρεία ανακοίνωσε την Πέμπτη ότι δημιούργησε λειτουργικές εκδόσεις υπολογιστικών τσιπ εξαιρετικά μεγάλης πυκνότητας, που διαθέτουν τέσσερις φορές την ισχύ των πιο ισχυρών τσιπ που υπάρχουν σήμερα.

 Όπως αναφέρεται σε σχετικό δημοσίευμα των NY Times, η ανακοίνωση έγινε εκ μέρους μιας διεθνούς κοινοπραξίας υπό την ηγεσία της ΙΒΜ και εντάσσεται σε ένα ευρύτερο πλαίσιο προσπάθειας για την κατασκευή των πλέον προηγμένων υπολογιστικών τσιπ στο Χάντσον Βάλεϊ της Νέας Υόρκης- όπου η ΙΒΜ επενδύει κεφάλαια ύψους 3 δισ. δολαρίων.

 Η εξέλιξη αυτή αλλάζει τα δεδομένα στη βιομηχανία ημιαγωγών, που προσπαθεί τα τελευταία χρόνια να κρατήσει «ζωντανό» τον Νόμο του Moore. Η Intel βρίσκεται στην πρώτη γραμμή αυτής της προσπάθειας, αντιμετωπίζοντας σημαντικές τεχνικές προκλήσεις.

 Κάθε γενιά τεχνολογίας τσιπ καθορίζεται από το ελάχιστο μέγεθος θεμελιωδών εξαρτημάτων που εναλλάσσουν ρεύμα εντός νανοσεκόντ. Σήμερα, η βιομηχανία βρίσκεται στο στάδιο μετάβασης (σε εμπορικό επίπεδο) από την κλίμακα των 14 νανομέτρων στην κλίμακα των 10. Κάθε γενιά σε γενικές γραμμές επιφέρει μείωση της τάξης του 50% στον χώρο που απαιτείται από μία δεδομένη «ποσότητα» κυκλωμάτων. Τα τσιπ της ΙΒΜ, αν και βρίσκονται σε ερευνητική φάση, υποδεικνύουν ότι η τεχνολογία ημιαγωγών θα συνεχίσει να συρρικνώνεται τουλάχιστον μέχρι το 2018.

 Η εταιρεία ανακοίνωσε την Πέμπτη ότι έχει λειτουργικά τσιπ με ημιαγωγούς (τρανζίστορ) των επτά νανομέτρων. Το επίτευγμα αυτό οφείλεται στη χρήση πυριτίου- γερμανίου αντί καθαρού πυριτίου σε κομβικά σημεία.

 Το νέο αυτό υλικό καθιστά δυνατή την ταχύτερη εναλλαγή, σε συνδυασμό με μικρότερες ενεργειακές απαιτήσεις. Επιπρόσθετα, το μικροσκοπικό μέγεθος των τρανζίστορ δείχνει ότι περαιτέρω πρόοδος θα απαιτεί νέα υλικά και νέες κατασκευαστικές τεχνικές.